ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP85T08GP-HF-3TB МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 80 В, 0.013 Ом, 10 В, 1 В
Метка: N Канал
infineon, irf8707gtrpbf, mosfet-n-ch-30v-11a-soic-8,
INFINEON IRF8707GTRPBF МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 30 В, 0.0093 Ом, 10 В, 1.8 В
toshiba, 2sk2998-tpe6-f, mosfet-n-ch-0-5a-500v-to92,
TOSHIBA 2SK2998(TPE6,F) МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 500 В, 18 Ом, 10 В, 4 В
fairchild-semiconductor, bs170, n-channel-mosfet-500ma-60v-to,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170 МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 1.2 Ом, 10 В, 2.1 В
diodes-inc, 2n7002-7-f, mosfet-n-ch-60v-0-115a-sot23,
DIODES INC. 2N7002-7-F МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом, 10 В, 2.5 В
infineon, irf8301mtrpbf, mosfet-n-ch-30v-192a-directfet,
INFINEON IRF8301MTRPBF МОП-транзистор, N Канал, 192 А, 30 В, 0.0013 Ом, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, fdt457n, mosfet-n-ch-30v-5a-sot-223,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 0.043 Ом, 10 В, 1.6 В
diodes-inc, zxmn7a11g, mosfet-n-sot-223,
DIODES INC. ZXMN7A11G МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 70 В, 130 мОм, 10 В, 1 В
infineon, f3l100r07w2e3b11boma1, igbt-module-n-ch-650v-100a,
INFINEON F3L100R07W2E3B11BOMA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, N Канал, 100 А, 1.45 В, 300 Вт, 650 В, Module Новинка
diodes-inc, zxmn10a11g, mosfet-n-sot-223,
DIODES INC. ZXMN10A11G МОП-транзистор, N Канал, 1.8 А, 100 В, 600 мОм, 10 В, 4 В