macmic в Беларуси igbt модуль igbt модуль производители, брэнд, product, торговая марка каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка, габариты, фото, даташит igbt, модуль, каталог 2019г., описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка, габариты, фото, даташит, MacMic MOSFET MOSFET Discrete MOSFET ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
Метка: Sirectifier
диодный мост трёхфазный s3pdb180
диодный мост трёхфазный SIRECTIFIER Sirectifier Semiconductors S3PDB180N08 S3PDB180N12 S3PDB180N14 S3PDB180N16 S3PDB180N18
Модуль SKKT92/12E
аналог замена Infineon Technologies TT92N12KOF Mitsubishi Electric TM90DZ-24 Ixys — Westcode MCC72-12io1B Powerex CD431290С Sirectifier STT90GK12B Singa MTC90A1200V Macmic ST MMK90A120B Zhejiang Guidu Power Electronics GDTT95-12 DACO Semiconductor MSCR90/12E ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
SKKT107/16E
SKKT107/16E полный аналог замена модулей следующих производителей: Infineon Technologies TT120N16SOF Ixys — Westcode MCC95-16io1B Powerex CD431699C Sirectifier STT116GK16B Singa MTC110A1600V Macmic ST MMK110A160B Zhejiang Guidu Power Electronics GDTT106-16 DACO Semiconductor MSCR110/16E Hubei Tech Semiconductors MTC110-16-223F3 Vishay VS-VSKT105/16 Технические характеристики параметры SKKT107/16E ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
SKKT162/12E
SKKT162/12E полный аналог модулей: Infineon Technologies TT162N12KOF Ixys — Westcode MCC162-12io1 Powerex CD631215C Sirectifier STT165GK12B Singa MTC160A1200V Macmic ST MMK160S120B Zhejiang Guidu Power Electronics GDTT162-12 Hubei Tech Semiconductors MTC160-12-216F3 Vishay VS-VSKT162/12 Электровыпрямитель МТТ-160-12 Технические характеристики параметры SKKT162/12E Корпус: Semipack 2 ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
SKKT570/18E
SKKT570/18E аналог замена модулей: Infineon Technologies TT570N16KOF Ixys — Westcode MCC501-18io2 Powerex LD431850 Sirectifier STT500GK18BT Протон Электротекс МТ3-595-18-А2 Singa MTC500A1800V Hubei Tech Semiconductors MTC570-18-416F3 Vishay VS-VSKT570-18PbF Технические характеристики параметры модуля SKKT570/18E Корпус: Semipack 5 Артикул: SKKT570/18E Габариты основания: ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ