ROHM UMB11NTN Массив биполярных транзисторов, PNP, 50 В, 150 мВт, -100 мА, 30 hFE, SOT-363
Метка: SOT-363
nxp, pumd10, transistor-digital-dual-sot-363,
PUMD10 Массив биполярных транзисторов, BRT, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 100 hFE, SOT-363
nxp, pumd16, transistor-digital-dual-sot-363,
PUMD16 Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 80 hFE, SOT-363
on-semiconductor, nst65011mw6t1g, trans-dual-npn-65v-sot-363-6,
ON SEMICONDUCTOR NST65011MW6T1G Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 0.9 hFE, SOT-363
diodes-inc, mmdt5401-7-f, transistor-pnp-pnp-sot363,
DIODES INC. MMDT5401-7-F Массив биполярных транзисторов, двойной, PNP, -150 В, 200 мВт, -200 мА, 60 hFE, SOT-363
on-semiconductor, bc846bdw1t1g, transistor-npn-65v-100ma-sot-363,
ON SEMICONDUCTOR BC846BDW1T1G Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
nexperia, pesd3v3l5uy, diode-tvs-sot-363,
NEXPERIA PESD3V3L5UY Защитное устройство от ЭСР, TVS, 20 В, SOT-363, 6 вывод(-ов)
on-semiconductor, mun5311dw1t1g, transistor-rf-npn-pnp-50v-sot,
ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение, SOT-363
on-semiconductor, mun5211dw1t1g, transistor-rf-npn-50v-sot-363,
ON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм, 1 соотношение, SOT-363
rohm, umb10ntn, transistor-dual-um6-pnp-pnp,
ROHM UMB10NTN Массив биполярных транзисторов, PNP, 50 В, 150 мВт, -100 мА, 80 hFE, SOT-363