nxp, pumd48, transistor-digital-dual-sot-363,

PUMD48 Массив биполярных транзисторов, BRT, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 100 hFE, SOT-363

on-semiconductor, mun5214dw1t1g, brt-transistor-50v-47k-10kohm,

ON SEMICONDUCTOR MUN5214DW1T1G. BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SOT-363

multicomp, bas40tw-7-f, diode-ultrafast-recovery-40ma,

MULTICOMP BAS40TW-7-F DIODE, ULTRAFAST RECOVERY, 40mA, 40V, SOT-363

rohm, umd3ntr, transistor-dual-um6-pnp-npn,

ROHM UMD3NTR Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 150 мВт, 100 мА, 30 hFE, SOT-363

nxp, pumh20, transistor-digital-dual-sot-363,

PUMH20 Массив биполярных транзисторов, BRT, NPN, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 30 hFE, SOT-363

diodes-inc, mmdt3946-7-f, transistor-npn-pnp-sot363,

DIODES INC. MMDT3946-7-F Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, PNP, 40 В, 200 мВт, -200 мА, 100 hFE, SOT-363

nxp, pmbt2907ays, trans-dual-pnp-aec-q101-60v-sot,

NEXPERIA PMBT2907AYS Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной PNP, -60 В, 400 мВт, -600 мА, 75 hFE, SOT-363

nxp, pumd13, transistor-digital-dual-sot-363,

PUMD13 Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 100 hFE, SOT-363

infineon, esd5v3u4rrsh6327xtsa1, diode-esd-array-5-3v-sot363,

INFINEON ESD5V3U4RRSH6327XTSA1 Защитное устройство от ЭСР, низкой емкости, 15 В, SOT-363, 6 вывод(-ов), 5.3 В, 50 Вт