nxp, pmbt2907ays, trans-dual-pnp-aec-q101-60v-sot,

NEXPERIA PMBT2907AYS Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной PNP, -60 В, 400 мВт, -600 мА, 75 hFE, SOT-363

nxp, pumd13, transistor-digital-dual-sot-363,

PUMD13 Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 100 hFE, SOT-363

infineon, esd5v3u4rrsh6327xtsa1, diode-esd-array-5-3v-sot363,

INFINEON ESD5V3U4RRSH6327XTSA1 Защитное устройство от ЭСР, низкой емкости, 15 В, SOT-363, 6 вывод(-ов), 5.3 В, 50 Вт

on-semiconductor, bc846bpdw1t1g, transistor-bipol-npn-pnp-65v-sot363,

ON SEMICONDUCTOR BC846BPDW1T1G Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363

nxp, pumh4-115, transistor-digital-dual-sot-363,

NEXPERIA PUMH4,115 Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363

rohm, umh1ntn, transistor-dual-um6-npn-npn,

ROHM UMH1NTN Массив биполярных транзисторов, двойной, NPN, 50 В, 150 мВт, 100 мА, 56 hFE, SOT-363

nxp, pumd9, transistor-digital-dual-sot-363,

PUMD9 Массив биполярных транзисторов, BRT, NPN, PNP, 50 В, 200 мВт, 100 мА, 100 hFE, SOT-363

on-semiconductor, mun5213dw1t1g, trans-50v-47-47kohm-sot-363,

ON SEMICONDUCTOR MUN5213DW1T1G Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм, 1 соотношение, SOT-363

multicomp, bas40tw-7-f, diode-ultrafast-recovery-40ma,

MULTICOMP BAS40TW-7-F DIODE, ULTRAFAST RECOVERY, 40mA, 40V, SOT-363, FULL REEL