Категория: Модули IGBT Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS STGE200NB60S Транзистор: IGBT; 600В; 150А; 600Вт; ISOTOP
Метка: STGE200NB60S
ST MICROELECTRONICS,STGE200NB60S
stmicroelectronics, stge200nb60s, igbt-sot-227,
STMICROELECTRONICS STGE200NB60S БТИЗ транзистор, 200 А, 1.2 В, 600 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)