Категория: Логические схемы семейства CMOS Технические характеристики,описание: TEXAS INSTRUMENTS CD74HC192E IC: цифровая; 4bit, presettable, synchronous, up/down counter
Метка: synchronous
TEXAS INSTRUMENTS,CD74HC192E
LINEAR TECHNOLOGY,LTC3900ES8TR#PBF 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: LINEAR TECHNOLOGY LTC3900ES8TR#PBF Driver; rectifier, synchronous; 4,5?11В; Uвх:4,5?11В; SO8
ALLIANCE MEMORY,AS6C62256A-70SCNTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C62256A-70SCNTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 32Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28
ALLIANCE MEMORY,U62256AS2C07LLG1TR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY U62256AS2C07LLG1TR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 32Кx8бит; 5В; 70нс; SOP28
ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-55TINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616-55TINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 1024×16бит; 3,3В; 55нс
NXP,74HCT160N.652 
Категория: Логические цепи семейства TTL Технические характеристики,описание: NXP 74HCT160N.652 IC: цифровая; BCD, decade counter, presettable, synchronous; DIP16
LINEAR TECHNOLOGY,LTC3900ES8#PBF
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: LINEAR TECHNOLOGY LTC3900ES8#PBF Driver; rectifier, synchronous; 4,5?11В; Uвх:4,5?11В; SO8
ALLIANCE MEMORY,AS6C8008-55BINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8008-55BINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 1024Кx8бит; 2,7?5,8В; 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS6C4008-55SINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55SINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS6C1016-55ZINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1016-55ZINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 64Кx16бит; 2,7?5,5В; 55нс