vishay, sir882adp-t1-ge3, mosfet-n-ch-100v-60a-powerpakso,

VISHAY SIR882ADP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 100 В, 0.0072 Ом, 10 В, 1.2 В

on-semiconductor, murs110t3g, rectifier-100v-do-214aa,

ON SEMICONDUCTOR MURS110T3G Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 2 А, Одиночный, 875 мВ, 35 нс, 40 А

on-semiconductor, cph5517-tl-e, transistors-bipolar-arrays,

ON SEMICONDUCTOR CPH5517-TL-E TRANSISTORS,BIPOLAR ARRAYS Новинка

infineon, ipd160n04l-g, mosfet-n-ch-30a-40v-pg-to252-3,

INFINEON IPD160N04L G МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 40 В, 13.3 мОм, 10 В, 1.2 В

infineon, bfr92pe6327htsa1, rf-transistor-npn-sot-23,

INFINEON BFR92PE6327HTSA1 Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 15 В, 5 ГГц, 280 мВт, 45 мА, 100 hFE

vishay, sir466dp-t1-ge3, n-channel-mosfet-30v-40a-soic,

VISHAY SIR466DP-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL REEL

infineon, bfp410h6327xtsa1, rf-transistor-low-noise-upto-5ghz,

INFINEON BFP410H6327XTSA1 RF TRANSISTOR, LOW-NOISE UPTO 5GHZ Новинка

infineon, ipd50r1k4cebtma1, mosfet-n-ch-500v-3-1a-to-252-3,

INFINEON IPD50R1K4CEBTMA1 МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 500 В, 1.26 Ом, 13 В, 3 В