Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C1026B-20JCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 64Кx16бит; 5В; 20нс; SOJ44
Метка: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-15TCN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-15TCN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 15нс; TSOP28
ALLIANCE MEMORY,AS7C34098A-15TCNTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C34098A-15TCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 15нс
ST MICROELECTRONICS,M48T18-100PC
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48T18-100PC Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,5?5,5В; 100нс; DIP28
ISSI,IS61C256AL-12JLI
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ISSI IS61C256AL-12JLI Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ28
ALLIANCE MEMORY,AS7C4096A-12TINTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C4096A-12TINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 512Кx8бит; 5В; 12нс
MAXIM-DALLAS,DS1225AD-150+
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: MAXIM-DALLAS DS1225AD-150+ Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,5?5,5В; 150нс; DIP28
ALLIANCE MEMORY,AS7C34096A-15JIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C34096A-15JIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx8бит; 3?3,6В; 15нс; SOJ36
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-20TIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-20TIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 20нс; TSOP28
ALLIANCE MEMORY,AS7C32096A-10TCNTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C32096A-10TCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 256Кx8бит; 3,3В; 10нс