INFINEON IPD082N10N3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 100 В, 0.007 Ом, 10 В, 2.7 В Новинка
Метка: 0.007 Ом
fairchild-semiconductor, fdd8880, mosfet-n-ch-30v-58a-to-252aa-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8880 МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 10 В, 2.5 В
infineon, ipd082n10n3gatma1, mosfet-n-ch-100v-80a-to-252,
INFINEON IPD082N10N3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 100 В, 0.007 Ом, 10 В, 2.7 В Новинка
vishay, sis862dn-t1-ge3, mosfet-n-ch-60v-40a-powerpak-1212,
VISHAY SIS862DN-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 0.007 Ом, 10 В
vishay, si4048dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-w-d-30v-19-3a-so8,
VISHAY SI4048DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 19.3 А, 30 В, 0.007 Ом, 10 В, 1 В
vishay, sis862dn-t1-ge3, mosfet-n-ch-60v-40a-powerpak-1212,
VISHAY SIS862DN-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 0.007 Ом, 10 В
vishay, si4421dy-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-10a-nsoic-8,
VISHAY SI4421DY-T1-GE3 МОП-транзистор, типа TrenchFET, P Канал, -10 А, -20 В, 0.007 Ом, -4.5 В, -800 мВ
infineon, irf6621tr1pbf, mosfet-n-directfet-30v-sq,
INFINEON IRF6621TR1PBF МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 0.007 Ом, 10 В, 1.8 В