panasonic-electronic-components, hhr-250sch-1z, battery-nimh-tag-1-2v-2650-mah,

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS HHR-250SCH-1Z Перезаряжаемая батарея, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 2650 мАч, 1.2 В, SC, Плоский Верх

yuasa, 1dh4-0t, battery-nicad-1d-4ah,

YUASA 1DH4-0T Перезаряжаемая батарея, высокотемпературная, одноэлементная, Никель-кадмиевый, 4 Ач, 1.2 В

sanyo, hr-au, battery-nimh-a-1-2v,

SANYO HR-AU Перезаряжаемая батарея, Twicell, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 2700 мАч, 1.2 В, A

ansmann, 5030992, battery-rechargeable-nimh-aa,

ANSMANN 5030992 Перезаряжаемая батарея, MAX-E, упаковка из 2, Никель-металлогидридный, 2100 мАч, 1.2 В, AA

toshiba, tpc6104-te85l-f, mosfet-n-ch-5-5a-20v-tsop6,

TOSHIBA TPC6104(TE85L,F) МОП-транзистор, P Канал, 5.5 А, -20 В, 40 мОм, -4.5 В, 1.2 В

vishay, si7454cdp-t1-ge3, mosfet-n-ch-diode-100v-22a-so,

VISHAY SI7454CDP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 100 В, 25200 мкОм, 10 В, 1.2 В

nxp, nx3020nakt, mosfet-n-ch-30v-0-18a-sot416,

NEXPERIA NX3020NAKT МОП-транзистор, N Канал, 180 мА, 30 В, 2.7 Ом, 10 В, 1.2 В

on-semiconductor, hn2d02futw1t1g, diode-small-signal-85v-sot-363,

ON SEMICONDUCTOR HN2D02FUTW1T1G Диод слабых сигналов, Тройной Изолирующий, 85 В, 100 мА, 1.2 В, 3 нс, 1 А

rohm, da380ufht106, diode-aec-q101-small-signal-sot323,

ROHM DA380UFHT106 Диод слабых сигналов, AEC-Q101, Двойной Последовательный, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 А

rohm, 1ss355te-17, diode-switching-80v-smd,

ROHM 1SS355TE-17 Диод слабых сигналов, высокоскоростной импульсный, 90 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 225 мА