INFINEON IRF7530TRPBF Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 5.4 А, 20 В, 0.03 Ом, 4.5 В, 1.2 В
Метка: 1.2 В
vishay, sir826dp-t1-ge3, mosfet-n-ch-dio-80v-60a-ppk-so8,
VISHAY SIR826DP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 80 В, 0.004 Ом, 10 В, 1.2 В
genesic-semiconductor, s150qr, diode-rectifier-1200v-150a-do8,
GENESIC SEMICONDUCTOR S150QR Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 150 А, 1.2 В, Одиночный, S150Q Series
infineon, irlml2502pbf, mosfet-n-chan-20v-4-2a-sot-23,
INFINEON IRLML2502PBF МОП-транзистор, N Канал, 4.2 А, 20 В, 45 мОм, 4.5 В, 1.2 В
fairchild-semiconductor, fdg6317nz, mosfet-dual-n-ch-20v-0-7a-sc-70,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6317NZ Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 700 мА, 20 В, 0.3 Ом, 4.5 В, 1.2 В
nxp, bss138p, mosfet-n-ch-60v-0-36a-sot23,
BSS138P МОП-транзистор, N Канал, 360 мА, 60 В, 0.9 Ом, 10 В, 1.2 В
on-semiconductor, 1n4937rlg, diode-standard-1a-600v-axial-reel,
ON SEMICONDUCTOR 1N4937RLG Стандартный силовой диод, 600 В, 1 А, Одиночный, 1.2 В, 200 нс, 30 А
texas-instruments, csd16327q3, mosfet-n-ch-25v-60a-vson-8,
TEXAS INSTRUMENTS CSD16327Q3 МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 25 В, 0.0034 Ом, 8 В, 1.2 В
panasonic-electronic-components, hhr210ab21, battery-nimh-1-2v-2050-mah,
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS HHR210AB21 Перезаряжаемая батарея, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 2200 мАч, 1.2 В, A, Плоский Верх
energizer, 635730, battery-extreme-ni-mh-aa-2300mah,
ENERGIZER 635730 Перезаряжаемая батарея, Extreme, упаковка из 4, Никель-металлогидридный, 2300 мАч, 1.2 В, AA