VISHAY 1N4148W-V-GS08.. Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 150 мА, 1.2 В, 4 нс, 2 мА
Метка: 1.2 В
on-semiconductor, nsv1ss400t1g, diode-small-signal-aec-q101-100v,
ON SEMICONDUCTOR NSV1SS400T1G Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.2 В, 4 нс, 500 мА Новинка
gp-batteries, gp450lah1a1p, battery-nimh-1-2v-18670,
GP BATTERIES GP450LAH1A1P Перезаряжаемая батарея, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 4500 мАч, 1.2 В, 18670
varta, 55996101501, battery-rechargeable-nimh-v6hr,
VARTA 55996101501 Перезаряжаемая батарея, Powerful, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 6 мАч, 1.2 В
panasonic-electronic-components, hhr200ab27, battery-nimh-1-2v-2100-mah,
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS HHR200AB27 Перезаряжаемая батарея, одноэлементная, Никель-металлогидридный, 2040 мАч, 1.2 В, 4/5A
texas-instruments, pth12000was, dc-dc-converter-1-o-p-1-2-5-5v,
TEXAS INSTRUMENTS PTH12000WAS POL DC/DC преобразователь, Регулируемый, DIP Поверхностного Монтажа, 33 Вт, 1.2 В, 5.5 В, 6 А
texas-instruments, pth12000waz, dc-dc-12vin-6a-adj-o-p-smd-12000,
TEXAS INSTRUMENTS PTH12000WAZ POL DC/DC преобразователь, Регулируемый, DIP Поверхностного Монтажа, 33 Вт, 1.2 В, 5.5 В, 6 А
vishay, si7101dn-t1-ge3, mosfet-p-ch-30v-35a-ppak1212-8,
VISHAY SI7101DN-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -35 А, -30 В, 0.0058 Ом, -10 В, -1.2 В
on-semiconductor, nthd3102ct1g, mosfet-n-p-ch-20v-20v-chipfet,
ON SEMICONDUCTOR NTHD3102CT1G Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 4 А, 20 В, 45 мОм, 4.5 В, 1.2 В
vishay, gf1m-e3-67a, diode-1a-reel-1500,
VISHAY GF1M-E3/67A Стандартный силовой диод, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.2 В, 2 мкс, 30 А