ANSMANN 1312-0013 Перезаряжаемая батарея, Никель-металлогидридный, 2000 мАч, 1.2 В, AA Новинка
Метка: 1.2 В
vishay, sir422dp-t1-ge3, mosfet-n-ch-diode-40v-40a-ppakso8,
VISHAY SIR422DP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 40 В, 5400 мкОм, 10 В, 1.2 В
vishay, sir882dp-t1-ge3, mosfet-n-ch-diode-100v-60a-ppakso8,
VISHAY SIR882DP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 100 В, 7.1 мОм, 10 В, 1.2 В
vishay, si7454cdp-t1-ge3, mosfet-n-ch-diode-100v-22a-so,
VISHAY SI7454CDP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 100 В, 25200 мкОм, 10 В, 1.2 В
nxp, nx3020nakt, mosfet-n-ch-30v-0-18a-sot416,
NEXPERIA NX3020NAKT МОП-транзистор, N Канал, 180 мА, 30 В, 2.7 Ом, 10 В, 1.2 В
on-semiconductor, hn2d02futw1t1g, diode-small-signal-85v-sot-363,
ON SEMICONDUCTOR HN2D02FUTW1T1G Диод слабых сигналов, Тройной Изолирующий, 85 В, 100 мА, 1.2 В, 3 нс, 1 А
rohm, da380ufht106, diode-aec-q101-small-signal-sot323,
ROHM DA380UFHT106 Диод слабых сигналов, AEC-Q101, Двойной Последовательный, 80 В, 100 мА, 1.2 В, 4 А
rohm, 1ss355te-17, diode-switching-80v-smd,
ROHM 1SS355TE-17 Диод слабых сигналов, высокоскоростной импульсный, 90 В, 100 мА, 1.2 В, 4 нс, 225 мА
stmicroelectronics, stge200nb60s, igbt-sot-227,
STMICROELECTRONICS STGE200NB60S БТИЗ транзистор, 200 А, 1.2 В, 600 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)
on-semiconductor, 1n4934g, rectifier-single-1a-100v-axial,
ON SEMICONDUCTOR 1N4934G Стандартный восстанавливающийся диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 1.2 В, 200 нс, 30 А Новинка