ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP85T08GP-HF-3TB МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 80 В, 0.013 Ом, 10 В, 1 В
Метка: 1 В
stmicroelectronics, 1n6263, diode-rf-2-2pf-60v-do-204ah-2,
STMICROELECTRONICS 1N6263 Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 60 В, 15 мА, 1 В, 50 мА, 200 °C
taiwan-semiconductor, 1n4148w, diode-small-sig-300v-0-15a-sod,
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N4148W Диод слабых сигналов, Одиночный, 300 В, 150 мА, 1 В, 4 нс, 400 мА Новинка
multicomp, 1n4148w, diode-small-sig-300v-0-15a-sod,
MULTICOMP 1N4148W+ Диод слабых сигналов, Одиночный, 300 В, 150 мА, 1 В, 4 нс, 400 мА Новинка
taiwan-semiconductor, 6a20g, diode-rectif-200v-6a-r-6,
TAIWAN SEMICONDUCTOR 6A20G Стандартный восстанавливающийся диод, 200 В, 6 А, Одиночный, 1 В, 250 А
multicomp, bat42w, diode-schottky-30v-0-2a-sot-23,
MULTICOMP BAT42W+ Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 30 В, 200 мА, 1 В, 4 А, 125 °C Новинка
fairchild-semiconductor, fds6898a, mosfet-nn-ch-20v-9-4a-8-soic-rl,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6898A Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 9.4 А, 20 В, 0.01 Ом, 4.5 В, 1 В
infineon, ipd031n03lgatma1, mosfet-n-ch-90a-30v-pg-to252-3,
INFINEON IPD031N03LGATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 30 В, 2.6 мОм, 10 В, 1 В
diodes-inc, zxmn6a11g, mosfet-n-sot-223,
DIODES INC. ZXMN6A11G МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 60 В, 140 мОм, 10 В, 1 В
diodes-inc, zxmc4559dn8tc, mosfet-np-ch-60v-4-7a-3-9a-so8,
DIODES INC. ZXMC4559DN8TC Двойной МОП-транзистор, режим обогащения, N и P Канал, 4.7 А, 60 В, 0.055 Ом, 10 В, -1 В