DIODES INC. ZVN4310GTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 1.67 А, 100 В, 0.4 Ом, 10 В, 1 В
Метка: режим обогащения
diodes-inc, dmn3007lss, mosfet-n-ch-w-diode-30v-16a-so8,
DIODES INC. DMN3007LSS МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В
diodes-inc, zvn4210gta, mosfet-n-ch-100v-0-8a-sot223,
DIODES INC. ZVN4210GTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 800 мА, 100 В, 1.5 Ом, 10 В, 800 мВ
diodes-inc, dmn3007lss, mosfet-n-ch-w-diode-30v-16a-so8,
DIODES INC. DMN3007LSS МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В
diodes-inc, zvn3320fta, mosfet-n-ch-200v-0-06a-sot23,
DIODES INC. ZVN3320FTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 60 мА, 200 В, 25 Ом, 10 В, 1 В
diodes-inc, dmn4800lssl, mosfet-n-ch-w-diode-30v-8a-so8,
DIODES INC. DMN4800LSSL МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 6.7 А, 30 В, 0.011 Ом, 10 В, 1.2 В
diodes-inc, zxmhc3a01t8ta, mosfet-comp-h-bride-30v-soic8,
DIODES INC. ZXMHC3A01T8TA Двойной МОП-транзистор, режим обогащения, N и P Канал, 3.1 А, 30 В, 0.12 Ом, 10 В, -1 В
diodes-inc, dmn6068se, mosfet-n-ch-diod-60v-4-1a-sot223,
DIODES INC. DMN6068SE МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 5.6 А, 60 В, 0.068 Ом, 10 В, 1 В
diodes-inc, zxms6005sgta, mosfet-n-ch-w-esd-60v-2a-sot223,
DIODES INC. ZXMS6005SGTA МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 2 А, 60 В, 0.15 Ом, 5 В, 1 В
diodes-inc, dmg3414u, mosfet-n-ch-w-diode-20v-4-2a-sot23,
DIODES INC. DMG3414U МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 4.2 А, 20 В, 0.019 Ом, 4.5 В, 500 мВ