FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А, -20 В, 130 мОм, -4.5 В, -800 мВ
Метка: 130 мОм
diodes-inc, zxmn7a11g, mosfet-n-sot-223,
DIODES INC. ZXMN7A11G МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 70 В, 130 мОм, 10 В, 1 В
ixys-semiconductor, ixfn44n60, mosfet-n-sot-227b,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N60 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 600 В, 130 мОм, 10 В, 4.5 В
diodes-inc, zxmd63n02x, mosfet-dual-nn-msop8,
DIODES INC. ZXMD63N02X Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 2.4 А, 20 В, 130 мОм, 4.5 В, 700 мВ
vishay, si4102dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-100v-3-8a-so8,
VISHAY SI4102DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В, 130 мОм, 10 В, 2 В
diodes-inc, zxmd63c02x, mosfet-dual-np-msop8,
DIODES INC. ZXMD63C02X Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.4 А, 30 В, 130 мОм, 4.5 В, 700 мВ
stmicroelectronics, std10nf10t4, mosfet-n-ch-100v-13a-dpak,
STMICROELECTRONICS STD10NF10T4 МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 100 В, 130 мОм, 10 В, 3 В
stmicroelectronics, stb22ns25zt4, mosfet-n-ch-250v-22a-d2pak,
STMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 250 В, 130 мОм, 10 В, 3 В
vishay, si4102dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-100v-3-8a-so8,
VISHAY SI4102DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 100 В, 130 мОм, 10 В, 2 В
vishay, si2308bds-t1-ge3, mosfet-n-ch-60v-2-3a-to236,
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 60 В, 130 мОм, 10 В, 1 В