ON SEMICONDUCTOR NTGD4167CT1G Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.6 А, 30 В, 52 мОм, 4.5 В, 900 мВ
Метка: 52 мОм
fairchild-semiconductor, fdn304p, mosfet-p-20v-2-4a-ssot-3-reel,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P МОП-транзистор, P Канал, 2.4 А, -20 В, 52 мОм, -4.5 В, -800 мВ
fairchild-semiconductor, fdn304p, mosfet-p-20v-2-4a-supersot-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN304P МОП-транзистор, P Канал, -2.4 А, -20 В, 52 мОм, -4.5 В, -800 мВ
on-semiconductor, ntr2101pt1g, mosfet-p-8v-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR NTR2101PT1G МОП-транзистор, P Канал, -3.7 А, -8 В, 52 мОм, -4.5 В, -1 В
on-semiconductor, ntgd4167ct1g, mosfet-np-ch-30v-2-6a-tsop-6,
ON SEMICONDUCTOR NTGD4167CT1G Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.6 А, 30 В, 52 мОм, 4.5 В, 900 мВ
vishay, si2305ds-t1-e3, mosfet-p-to-236,
VISHAY SI2305DS-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -8 В, 52 мОм, -4.5 В, -800 мВ
on-semiconductor, ntr2101pt1g, mosfet-p-8v-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR NTR2101PT1G МОП-транзистор, P Канал, -3.7 А, -8 В, 52 мОм, -4.5 В, -1 В