Метка: Module

infineon, ff450r12kt4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-75v-580a,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

INFINEON FF450R12KT4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 580 А, 1.75 В, 2.4 кВт, 1.2 кВ, Module

fuji-electric, 6mbi15s-120-50, 6-pack-igbt-module-15a-1200v-npt,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

FUJI ELECTRIC 6MBI15S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 15 А, 2.6 В, 110 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)

ixys-semiconductor, mid200-12a4, igbt-module-1-2kv-270a,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

IXYS SEMICONDUCTOR MID200-12A4 БТИЗ транзистор, 270 А, 2.2 В, 1.13 кВт, 1.2 кВ, Module, 7 вывод(-ов)

fuji-electric, 1mbi50u4f-120l-50, igbt-chopp-u-ser-50a-1200v-m232,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

FUJI ELECTRIC 1MBI50U4F-120L-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 275 Вт, Module

infineon, fs75r12w2t4, igbt-l-power-1200v-75a-easypack,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

INFINEON FS75R12W2T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 375 Вт, 1.2 кВ, Module

fuji-electric, 2mbi300u2b-060-50, igbt-dual-module-300a-600v-npt,

Минск, Обновлено: 22 апреля 2024г., 00:00

FUJI ELECTRIC 2MBI300U2B-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 2.45 В, 1 кВт, 600 В, Module