INFINEON IRFH8334TRPBF POWER MOSFET, 20V-300V, N-CHANNEL Новинка
Метка: тиристоры
ixys-semiconductor, ixfh40n50q2, mosfet-n-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFH40N50Q2 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 500 В, 140 мОм, 10 В, 5 В
infineon, f4-50r12ms4, igbt-pow-quad-with-ntc-1200v-50a,
INFINEON F4-50R12MS4 БТИЗ массив и модульный транзистор, 4 канала, N Канал, 50 А, 3.2 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module
stmicroelectronics, stth802d, diode-ultrafast-8a-200v,
STMICROELECTRONICS STTH802D Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 8 А, Одиночный, 1.05 В, 17 нс, 100 А
nxp, pbss5230t, transistor-pnp-sot-23,
PBSS5230T Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 200 МГц, 300 мВт, 2 А, 450 hFE
vishay, sir164dp-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-50a-ppak-so8,
VISHAY SIR164DP-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 2.05 мОм, 10 В, 1.2 В
diodes-inc, bc857a, transistor-pnp-45v-0-1a-sot23,
DIODES INC. BC857A Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 180 hFE
on-semiconductor, bc857btt1g, transistor-bipol-pnp-45v-sot-416,
ON SEMICONDUCTOR BC857BTT1G Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 200 мВт, -100 мА, 150 hFE
infineon, ipn60r1k5ceatma1, mosfet-n-ch-600v-5a-sot-223-3,
INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 600 В, 1.35 Ом, 10 В, 3 В
infineon, irlms2002pbf, mosfet-n-logic-micro-6,
INFINEON IRLMS2002PBF МОП-транзистор, N Канал, 6.5 А, 20 В, 30 мОм, 4.5 В, 1.2 В