Диод
симистор
СПП штыревой конструкции с жёстким выводом
Диоды, диоды лавинные низкочастотные штыревой конструкции серии: Д (ДЛ)112, 122, 132, 142 , 152 на токи от 10 до 160А, напряжением от 100 до 1800В по ТУ У 32.1-30077685-031:2008;
— Тиристоры: Т112, Т122, Т132, Т142, Т152, Т165 на токи от 10 до 125А, напряжением от 100 В до 2000В по ТУ У 32.1-30077685-023:2006;
— Оптотиристоры : ТО132, ТО142, ТО165 на токи от 25 до 80А, напряжением от 200 В до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-024:2006;
— Триаки (симисторы): ТС112, ТС122, ТС132, ТС142, ТС152, ТС165 на токи от 10 до 160А, напряжением от 100 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-022:2006;
— Оптотиристоры симметричные: ТСО132, ТСО142, ТСО152, ТСО165 на токи от 25 до 125А, напряжением от 200 В до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-0225:2006.
Фототиристоры
— Фототиристор серии ТФ132 на ток 25 А, напряжением от 600 В до 1000В по ТУ У 32.1-05755571-001-2001 – Фототиристор используется в схемах дуговой защиты КРУ.
СПП с гибким выводом
Диоды, диоды лавинные низкочастотные с гибким выводом серии: Д(ДЛ)141, (ДЛ)151, Д(ДЛ)161, Д(ДЛ)171 токи от 80 до 500А, напряжением от 400 до 2800В ТУ32.1-30077685-018:2006.
— Диоды лавинные серии ДЛ161 по ТУ У 32.1-30077685-032:2010
— Тиристоры с гибким выводом серии: Т161, Т171 и тиристоры лавинные серии ТЛ271 на токи от 125 до 320А, напряжением от 600 В до 1800В по ТУ У 32.1-30077685-020:2006.
СПП таблеточной конструкции
— Диоды, диоды лавинные низкочастотные таблеточной конструкции серии: Д(ДЛ) Д(ДЛ)223, Д(ДЛ)233, Д(ДЛ) 243, Д(ДЛ)153, Д(ДЛ) 253 на токи от 250 до 4000А напряжением от 100 до 4400В по ТУ У 32.1-30077685-014:2004;
— Диоды, диоды лавинные низкочастотные таблеточной конструкции (с ТДУ) серии: Д(ДЛ) 553, Д(ДЛ) 573, Д(ДЛ) 653, 673 на токи от 1600 до 5000А, напряжением от 1200- 3800В по ТУ У 32.1-05755571-002-2001.
— Тиристоры низкочастотные таблеточной конструкции серии: Т123, Т223, Т233, Т243, Т153, Т253, Т353, Т453, Т263, Т363, Т273, Т293, Т393 на токи от 200 до 4000А, напряжением от 600 до 4400В по ТУ У 32.1-30077685-009-2002.
— Тиристоры низкочастотные таблеточной конструкции (с ТДУ) серии: Т553, Т653, Т663, Т673, Т683, Т693 на токи от 1000 до 5000А, напряжением от 800 до 3200В по ТУ У 32.1-30077685-009-2002.
Силовые полупроводниковые модули
— Модули серии: МДД (МТД, МДТ, МТТ ) 4/3 на токи от 25 до 100А, напряжением от 400 до 1600В по ТУ У 32.1-30077685-026:2008;
— Модули серии: МТОТО (МТОД, МДТО) 4/3 на токи от 25 до 100А, напряжением от 400 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-026:2008;
— Модули серии: МТСТС 4/4, 4/5 на токи от 50 до 80А, напряжением от 200 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-008:2008 на основе структур силовых триаков. Основное использование –ключи в сети переменного тока в стабилизаторах напряжения.
— Модули серии: МТСТС 8/4, 8/5 на токи от 100 до 160А, напряжением от 200 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-008:2008 на основе структур силовых триаков.
Основное использование – ключи в сети переменного тока в стабилизаторах напряжения.
— Модули серии: МДД (МТД, МДТ, МТТ ) 10/3, на токи от 200 до 320А напряжением от 600 до 2800В по ТУ У 32.1-30077685-019:2006;
— Модули серии: МДД (МТД, МДТ, МТТ ) 14/3,12/3, 13/3 на токи от 320 до 800А, напряжением от 600 до 2800В по ТУ У 32.1-30077685-029:2006;
— Модули серии: МД (МТ ) 16/1, 17/1на токи от 500 до 1200А напряжением от 400 до 3200В по ТУ У 32.1-30077685-029:2006.
— Модули (силовая структура — триак) серии: МГТСО11/17 (11/19) на токи от 5 до 80А, напряжением от 400 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-011- 2003;
— Модули (силовая структура – встречно включённые тиристоры) серии: МГТСО4/16 (4/18), на токи от 100 до 160А, напряжением от 400 до 1200В по ТУ У 32.1-30077685-011- 2003. Отличительная особенность модулей МГТСО – маленький ток управления 10мА, наличие функции «Z» (включение в «0»).