FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 МОП-транзистор, P Канал, -40 А, -30 В, 0.014 Ом, -10 В, -1.8 В
Метка: 0.014 Ом
vishay, si2342ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-8v-6a-sot-23,
VISHAY SI2342DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 8 В, 0.014 Ом, 4.5 В, 800 мВ Новинка
fairchild-semiconductor, fdb3652, mosfet-n-ch-61a-100v-to236ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3652 МОП-транзистор, N Канал, 61 А, 100 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
vishay, si2342ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-8v-6a-sot-23,
VISHAY SI2342DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 8 В, 0.014 Ом, 4.5 В, 800 мВ Новинка
fairchild-semiconductor, fdb2532, mosfet-n-ch-150v-79a-to-263ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 МОП-транзистор, N Канал, 79 А, 150 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
vishay, si2342ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-8v-6a-sot-23,
VISHAY SI2342DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 8 В, 0.014 Ом, 4.5 В, 800 мВ Новинка
fairchild-semiconductor, fdb2532, mosfet-n-smd-to-263ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2532 МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 150 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
nxp, psmn019-100yl, mosfet-n-ch-100v-56a-sot-669-4,
PSMN019-100YL МОП-транзистор, TrenchMOS, N Канал, 56 А, 100 В, 0.014 Ом, 10 В, 1.7 В
advanced-power-electronics-corp, ap4800cgm-hf-3tr, mosfet-nch-30v-14mohm-so-8,
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP4800CGM-HF-3TR МОП-транзистор, N Канал, 10.4 А, 30 В, 0.014 Ом, 10 В, 1 В
infineon, irlts6342trpbf, mosfet-n-ch-30v-8-3a-6tsop,
INFINEON IRLTS6342TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 8.3 А, 30 В, 0.014 Ом, 4.5 В, 500 мВ