NEXPERIA PMCM6501VPE МОП-транзистор, траншейного типа, P Канал, -6.2 А, -12 В, 0.019 Ом, -4.5 В, -600 мВ
Метка: P Канал
toshiba, tpc8120, mosfet-p-ch-30v-16a-sop8,
TOSHIBA TPC8120 МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.0026 Ом, -10 В, -800 мВ
on-semiconductor, ntr1p02lt3g, mosfet-p-channel-20v-1-3a-sot,
ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT3G МОП-транзистор, P Канал, -1.3 А, -20 В, 140 мОм, -4.5 В, -1 В
diodes-inc, zxmp6a17e6ta, mosfet-p-ch-60v-3a-sot23-6,
DIODES INC. ZXMP6A17E6TA МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -60 В, 125 мОм, -10 В, -3 В
diodes-inc, zxm62p02e6, mosfet-p-sot-23-6,
DIODES INC. ZXM62P02E6 МОП-транзистор, P Канал, 2.3 А, -20 В, 200 мОм, 4.5 В, -700 мВ
vishay, tp0202k-t1-e3, p-ch-mosfet-30v-385ma-to-236,
VISHAY TP0202K-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -385 мА, -30 В, 1.25 Ом, -10 В, -2 В
vishay, sud50p06-15-ge3, mosfet-p-ch-60v-50a-to-252-3,
VISHAY SUD50P06-15-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -60 В, 0.012 Ом, -10 В, -3 В
stmicroelectronics, stn3pf06, mosfet-p-sot-223,
STMICROELECTRONICS STN3PF06 МОП-транзистор, P Канал, 2.5 А, -60 В, 200 мОм, 10 В, 4 В
vishay, sqd50p06-15l-ge3, mosfet-auto-p-ch-60v-50a-to252,
VISHAY SQD50P06-15L_GE3 МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -60 В, 0.0135 Ом, -10 В, -2.5 В
vishay, sq3427aeev-t1-ge3, mosfet-auto-p-ch-60v-5-3a-tsop,
VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3 МОП-транзистор, P Канал, -5.3 А, -60 В, 0.079 Ом, -10 В, -2 В