INFINEON BSZ120P03NS3GATMA1 МОП-транзистор, P Канал, -40 А, -30 В, 0.009 Ом, -10 В, -2.5 В
Метка: P Канал
nxp, nx3008pbk, mosfet-p-ch-30v-230ma-sot23,
NEXPERIA NX3008PBK МОП-транзистор, P Канал, -230 мА, -30 В, 2.8 Ом, -4.5 В, -900 мВ
fairchild-semiconductor, si4435dy, transistor-mosfet,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 15 мОм, -10 В, -1.7 В
diodes-inc, zvp1320fta, mosfet-p-ch-200v-0-035a-sot23,
DIODES INC. ZVP1320FTA МОП-транзистор, режим обогащения, P Канал, -35 мА, -200 В, 80 Ом, -10 В, -1.5 В
diodes-inc, zxmp3a13fta, mosfet-p-sot-23,
DIODES INC. ZXMP3A13FTA МОП-транзистор, низковольтный, P Канал, 1.6 А, -30 В, 210 мОм, 10 В, -1 В
taiwan-semiconductor, tsm2311cx, mosfet-p-ch-20v-4a-sot23,
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM2311CX МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -20 В, 0.045 Ом, -4.5 В, -600 мВ
toshiba, tpc8120, mosfet-p-ch-30v-16a-sop8,
TOSHIBA TPC8120 МОП-транзистор, P Канал, -18 А, -30 В, 0.0026 Ом, -10 В, -800 мВ
vishay, sud08p06-155l-e3, mosfet-p-ch-diode-60v-8-4a-to,
VISHAY SUD08P06-155L-E3 МОП-транзистор, P Канал, -8.4 А, -60 В, 0.125 Ом, -10 В, -2 В
vishay, sqs401en-t1-ge3, mosfet-p-ch-w-diode-40v-16a-pp1212,
VISHAY SQS401EN-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -16 А, -40 В, 0.02 Ом, -10 В, -2 В
vishay, sq2301es-t1-ge3, mosfet-p-ch-w-d-20v-3-9a-sot23,
VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -3.9 А, -20 В, 0.08 Ом, -4.5 В, -450 мВ