VISHAY SI7611DN-T1-GE3 МОП-транзистор, типа TrenchFET, P Канал, -18 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -3 В
Метка: 0.021 Ом
vishay, si7611dn-t1-ge3, mosfet-p-ch-40v-18a-powerpak1212,
VISHAY SI7611DN-T1-GE3 МОП-транзистор, типа TrenchFET, P Канал, -18 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -3 В
infineon, ipg20n06s4l26atma1, mosfet-dual-n-ch-60v-20a-tdson,
INFINEON IPG20N06S4L26ATMA1 Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 20 А, 60 В, 0.021 Ом, 10 В, 1.7 В
vishay, si4909dy-t1-ge3, mosfet-pp-ch-w-d-diod-40v-8a-so8,
VISHAY SI4909DY-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -8 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -1.2 В
vishay, si7469dp-t1-e3, mosfet-p-ch-80v-28a-powerpak,
VISHAY SI7469DP-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -28 А, -80 В, 0.021 Ом, -10 В, -3 В
vishay, si7456dp-ti-ge3, mosfet-n-so-8,
VISHAY SI7456DP-TI-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 5.7 А, 100 В, 0.021 Ом, 10 В, 4 В
fairchild-semiconductor, fqb55n10tm, mosfet-n-ch-100v-55a-to-263ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB55N10TM МОП-транзистор, N Канал, 55 А, 100 В, 0.021 Ом, 10 В, 4 В