VISHAY SQ2360EES-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 60 В, 0.058 Ом, 10 В, 1.5 В
Метка: 0.058 Ом
vishay, sq2360ees-t1-ge3, mosfet-n-ch-di-esd-60v-4-4a-sot23,
VISHAY SQ2360EES-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 60 В, 0.058 Ом, 10 В, 1.5 В
nxp, pmv65xp-215, mosfet-p-ch-20v-4-3a-sot-23,
PMV65XP,215 МОП-транзистор, P Канал, -4.3 А, -20 В, 0.058 Ом, -4.5 В, -750 мВ
nxp, pmv65xp-215, mosfet-p-ch-20v-4-3a-sot-23,
NEXPERIA PMV65XP,215 МОП-транзистор, P Канал, -4.3 А, -20 В, 0.058 Ом, -4.5 В, -650 мВ
on-semiconductor, ntgs3443t1g, mosfet-p,
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G МОП-транзистор, P Канал, 3.1 А, -20 В, 0.058 Ом, -4.5 В, -950 мВ
on-semiconductor, nthc5513t1g, mosfet-np-ch-20v-chipfet-1206a,
ON SEMICONDUCTOR NTHC5513T1G Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.9 А, 20 В, 0.058 Ом, 4.5 В, 600 мВ
fairchild-semiconductor, fdd2582, mosfet-n-ch-150v-21a-to-252aa,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2582 МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 150 В, 0.058 Ом, 10 В, 4 В
fairchild-semiconductor, fdb44n25tm, mosfet-n-ch-250v-44a-to-263ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 250 В, 0.058 Ом, 10 В, 5 В