fairchild-semiconductor, nds0610, mosfet-p-sot-23-full-reel,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS0610 МОП-транзистор, P Канал, -120 мА, -60 В, 10 Ом, -10 В, -1.7 В

lumex, ssl-lx5093xrc, led-red-5mm-1200mcd-660nm,

LUMEX SSL-LX5093XRC Светодиод, QuasarBrite, Красный, Сквозное Отверстие, T-1 3/4 (5мм), 20 мА, 1.7 В, 660 нм

infineon, irgp4263pbf, igbt-single-650v-90a-to-247ac,

INFINEON IRGP4263PBF БТИЗ транзистор, 90 А, 1.7 В, 300 Вт, 650 В, TO-247AC, 3 вывод(-ов)

infineon, ipd35n10s3l26atma1, mosfet-n-ch-100v-35a-to-252,

INFINEON IPD35N10S3L26ATMA1 МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 35 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 1.7 В

multicomp, her307g, diode-fast-3a-800v,

MULTICOMP HER307G Силовой диод быстрого действия, 800 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 125 А

fairchild-semiconductor, fds6990as, n-channel-mosfet-30v-7-5ma,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6990AS Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 7.5 А, 30 В, 0.017 Ом, 10 В, 1.7 В

fairchild-semiconductor, fdfs6n754, mosfet-n-so-8,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFS6N754 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 30 В, 56 мОм, 10 В, 1.7 В

multicomp, es2j, diode-ultra-fast-2a-600v,

MULTICOMP ES2J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 2 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 50 А

fairchild-semiconductor, bss123, mosfet-n-100v-sot-23,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 МОП-транзистор, N Канал, 170 мА, 100 В, 1.2 Ом, 10 В, 1.7 В

taiwan-semiconductor, es2j, rectifier-single-2a-600v-do-214aa,

TAIWAN SEMICONDUCTOR ES2J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 2 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 50 А Новинка