FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT458P МОП-транзистор, P Канал, 3.4 А, -30 В, 0.105 Ом, -10 В, -1.8 В
Метка: 1.8 В
fairchild-semiconductor, fdd5353, mosfet-n-ch-60v-50a-to-252-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5353 МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.0101 Ом, 10 В, 1.8 В
silicon-labs, cp2103-gm, usb-uart-bridge-smd-qfn-28-2103,
SILICON LABS CP2103-GM USB интерфейс, USB 2.0, 1.8 В, 3.6 В, QFN, 28 вывод(-ов)
stmicroelectronics, stth200w03tv1, diode-ultrafast-2x100a-300v-isotop,
STMICROELECTRONICS STTH200W03TV1 Модуль диода, 300 В, 200 А, 1.8 В, Двойной Изолированный, STTH2 Series
kionix, kmx61-1021, accelerometer-magnetometer-digital,
KIONIX KMX61-1021 МЭМС акселерометр, Трехосевой, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, 1.8 В, 3.3 В, LGA
broadcom-limited, hsmh-c190, led-red-17mcd-639nm,
BROADCOM LIMITED HSMH-C190 Светодиод, Красный, SMD (Поверхностный Монтаж), 20 мА, 1.8 В, 639 нм
infineon, irf9321pbf, mosfet-p-ch-30v-15a-so-8,
INFINEON IRF9321PBF МОП-транзистор, P Канал, -15 А, -30 В, 5.9 мОм, -10 В, -1.8 В
analog-devices, adxl335bcpz, ic-accelerometer-3-axis-3g-16lfcsp,
ANALOG DEVICES ADXL335BCPZ МЭМС акселерометр, Трехосевой, Аналоговый, X, Y, Z, ± 3g, 1.8 В, 3.6 В, LFCSP
vishay, si4134dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-14a-so8,
VISHAY SI4134DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 14 А, 30 В, 11.5 мОм, 10 В, 1.8 В
on-semiconductor, ntd5867nl-1g, mosfet-n-ch-60v-20a-to-251-4,
ON SEMICONDUCTOR NTD5867NL-1G МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 60 В, 0.026 Ом, 10 В, 1.8 В