diodes-inc, zxm62p03e6, mosfet-p-sot-23-6,

DIODES INC. ZXM62P03E6 МОП-транзистор, P Канал, 2.6 А, -30 В, 110 мОм, 10 В, -1 В

taiwan-semiconductor, us1b, rectifier-single-100v-1a-do-214ac,

TAIWAN SEMICONDUCTOR US1B Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 1 В, 50 нс, 30 А Новинка

multicomp, uf2004, diode-rectifier-2a-300v-do-15,

MULTICOMP UF2004 Быстрый / ультрабыстрый диод, 300 В, 2 А, Одиночный, 1 В, 50 нс, 60 А

taiwan-semiconductor, ts4148-rxg, diode-small-signal-75v-0-15a-1206,

TAIWAN SEMICONDUCTOR TS4148 RXG Диод слабых сигналов, Одиночный, 75 В, 150 мА, 1 В, 4 нс, 2 А Новинка

stmicroelectronics, stu150n3llh6, mosfet-n-ch-30v-80a-ipak,

STMICROELECTRONICS STU150N3LLH6 МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 30 В, 0.0024 Ом, 10 В, 1 В

stmicroelectronics, std35nf06lt4, mosfet-n-ch-60v-35a-dpak,

STMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 МОП-транзистор, N Канал, 17.5 А, 60 В, 14 мОм, 10 В, 1 В

vishay, sis448dn-t1-ge3, mosfet-n-ch-diode-30v-35a-ppak1212,

VISHAY SIS448DN-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 30 В, 4600 мкОм, 10 В, 1 В

vishay, si7107dn-t1-e3, mosfet-p-ch-20v-9-8a-powerpak,

VISHAY SI7107DN-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -9.8 А, -20 В, 0.009 Ом, -1.8 В, -1 В

infineon, si4435dytrpbf, mosfet-p-ch-30v-8a-soic-8,

INFINEON SI4435DYTRPBF МОП-транзистор, P Канал, -8 А, -30 В, 0.015 Ом, 10 В, -1 В