infineon, ipi60r250cp, mosfet-n-to-262,

INFINEON IPI60R250CP Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 650 В, 0.22 Ом, 10 В, 3 В

infineon, ipd30n03s4l09atma1, mosfet-n-ch-30v-30a-to-252-3,

INFINEON IPD30N03S4L09ATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 30 В, 0.0073 Ом, 10 В, 1.5 В

infineon, ipd042p03l3gatma1, mosfet-p-ch-30v-70a-to-252,

INFINEON IPD042P03L3GATMA1 МОП-транзистор, AEC-Q101, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В

infineon, ipb65r110cfdatma1, mosfet-n-ch-700v-31-2a-to-263,

INFINEON IPB65R110CFDATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 31.2 А, 700 В, 0.099 Ом, 10 В, 4 В

on-semiconductor, 1sma10cat3g, tvs-diode-400w-10v-bidir-do-214ac,

LITTELFUSE 1SMA10CAT3G TVS-диод, TVS, 1SMA Series, Двунаправленный, 10 В, 17 В, DO-214AC, 2 вывод(-ов)

fairchild-semiconductor, huf75639g3, mosfet-n-ch-56a-100v-to247,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75639G3 МОП-транзистор, N Канал, 56 А, 100 В, 25 мОм, 10 В, 4 В

fairchild-semiconductor, fqpf6n80c, mosfet-n-to-220f,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N80C Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.5 А, 800 В, 2.5 Ом, 10 В, 5 В

fuji-electric, fmw47n60s1hf, mosfet-n-ch-600v-47a-to-247-3,

FUJI ELECTRIC FMW47N60S1HF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 47 А, 600 В, 0.059 Ом, 10 В, 3 В

fairchild-semiconductor, fds8884, mosfet-n-channel-30v-8-5a-soic,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 30 В, 19 мОм, 10 В, 1.7 В

fairchild-semiconductor, fds6612a, mosfet-n-smd-8-soic,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A МОП-транзистор, N Канал, 8.4 А, 30 В, 0.019 Ом, 10 В, 1.9 В