nxp, pht4nq10t-135, mosfet-n-ch-100v-3-5a-sot223,

PHT4NQ10T,135 МОП-транзистор, N Канал, 1.75 А, 100 В, 0.2 Ом, 10 В, 3 В

erg-components, sdc-4-014, switch-dil-dt-4way,

ERG COMPONENTS SDC-4-014 DIP / SIP переключатель, 4 схем(-а), SPDT, Сквозное Отверстие, Серия SDC, 100 В

on-semiconductor, mur410rlg, rectifier-4a-100v-axial,

ON SEMICONDUCTOR MUR410RLG Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 4 А, Одиночный, 890 мВ, 35 нс, 125 А

on-semiconductor, mjd122t4g, transistor-npn-100v-8a-to-252,

ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE

multicomp, mbr30100ct, diode-schottky-30a-100v,

MULTICOMP MBR30100CT Выпрямитель Шоттки, 100 В, 30 А, Двойной Общий Катод, TO-220AB, 3 вывод(-ов), 940 мВ

erg-components, sds-2-014, switch-dil-st-2way,

ERG COMPONENTS SDS-2-014 DIP / SIP переключатель, 2 схем(-а), SPST, Сквозное Отверстие, Серия SDS, 100 В

infineon, irfr4510pbf, mosfet-n-ch-100v-63a-d-pak,

INFINEON IRFR4510PBF МОП-транзистор, N Канал, 56 А, 100 В, 0.0111 Ом, 10 В, 3 В

infineon, irf7473-pbf, mosfet-n-so-8,

INFINEON IRF7473PBF МОП-транзистор, N Канал, 6.9 А, 100 В, 26 мОм, 10 В, 5.5 В

infineon, ipb123n10n3gatma1, mosfet-n-ch-100v-58a-to-263-3,

INFINEON IPB123N10N3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 100 В, 0.0107 Ом, 10 В, 2.7 В

diodes-inc, fzt753, transistor-pnp-sot-223,

DIODES INC. FZT753 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 140 МГц, 2 Вт, -2 А, 200 hFE