Метка: 200В

taiwan-semiconductor, gbpc3502, diode-bridge-rect-1-ph-200v-module,

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC3502 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 200V, MODULE Новинка

DC COMPONENTS,KBPC3502W Однофазные мосты диодные квадратные,DC COMPONENTS,KBPC3502W

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Однофазные мосты диодные квадратные Технические характеристики,описание: DC COMPONENTS KBPC3502W Диодный мост; 200В; 35А; MB-25W; проволока ?0,9мм

DC COMPONENTS,GBU4D Однофазные мосты диодные SMD/THT,DC COMPONENTS,GBU4D

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Однофазные мосты диодные SMD/THT Технические характеристики,описание: DC COMPONENTS GBU4D Диодный мост; glass passivated; 200В; 4А; GBU

IXYS,IXFH58N20 Транзисторы с каналом N THT,IXYS,IXFH58N20

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N THT Технические характеристики,описание: IXYS IXFH58N20 Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 200В; 58А; 300Вт; TO247AD

INTERNATIONAL RECTIFIER,IRFP4227PBF Транзисторы с каналом N THT,INTERNATIONAL RECTIFIER,IRFP4227PBF

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N THT Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP4227PBF Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 200В; 65А; 330Вт

VISHAY,IRF620PBF Транзисторы с каналом N THT,VISHAY,IRF620PBF

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N THT Технические характеристики,описание: VISHAY IRF620PBF Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 200В; 5,2А; 50Вт; TO220AB

LITTELFUSE,1.5KE200A-B Диоды transil THT однонаправленные,LITTELFUSE,1.5KE200A-B

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

Категория: Диоды transil THT однонаправленные Технические характеристики,описание: LITTELFUSE 1.5KE200A-B Диод: защитный; 1,5кВт; 200В; 5,5А; однонаправленный; DO201