INFINEON FP35R12KT4B15BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
Метка: MODULE Новинка
infineon, fp25r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-25a,
INFINEON FP25R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp25r12ke3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-25a,
INFINEON FP25R12KE3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp75r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 355 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp50r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-50a,
INFINEON FP50R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp50r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-50a,
INFINEON FP50R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.7 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp40r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-40a,
INFINEON FP40R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 40 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc3502, diode-bridge-rect-1-ph-200v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC3502 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 200V, MODULE Новинка
infineon, fp75r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc2501, diode-bridge-rect-1-ph-100v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC2501 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 100V, MODULE Новинка