INFINEON FP40R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 40 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
Метка: MODULE Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc3502, diode-bridge-rect-1-ph-200v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC3502 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 200V, MODULE Новинка
infineon, fp75r12kt4bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
taiwan-semiconductor, gbpc2501, diode-bridge-rect-1-ph-100v-module,
TAIWAN SEMICONDUCTOR GBPC2501 DIODE, BRIDGE RECT, 1-PH, 100V, MODULE Новинка
infineon, fs100r12kt3bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-100a,
INFINEON FS100R12KT3BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.7 В, 480 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, ff600r12me4b11bpsa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-600a,
INFINEON FF600R12ME4B11BPSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, fp75r12kt4b15bosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-75a,
INFINEON FP75R12KT4B15BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
infineon, f3l300r07pe4bosa1, igbt-module-n-ch-650v-300a,
INFINEON F3L300R07PE4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 1.55 В, 940 Вт, 650 В, Module Новинка
infineon, tt120n16sofhpsa1, thyristor-module-1-6kv-119a-module,
INFINEON TT120N16SOFHPSA1 THYRISTOR MODULE, 1.6KV, 119A, MODULE Новинка
infineon, fz400r12ke4hosa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-400a,
INFINEON FZ400R12KE4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 400 А, 1.75 В, 2.4 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка