Категория: Контрольные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY TC1232EOA Микроконтроллер; open-drain, push-pull; 4,25 В,4,50 В; SO8
Метка: 25 В
MICROCHIP TECHNOLOGY,TC1232EOA
murata, pklcs1212e40a1-r1, sounder-4khz-75db,
MURATA PKLCS1212E40A1-R1 Датчик, Зуммер, Сирена, 3 В, 25 В, 75 дБ
projects-unlimited, smt-1640-s-2-r, transducer-audio-smt,
PROJECTS UNLIMITED SMT-1640-S-2-R Датчик, аудио, SMT, 1 В, 25 В, 3 мА, 75 дБА
semtech, uclamp1201h-tct, diode-tvs-12v,
SEMTECH UCLAMP1201H.TCT TVS-диод, TVS, Серия µClamp, Однонаправленный, 12 В, 25 В, SOD-523, 2 вывод(-ов)
nxp, pmbfj110-215, jet-n-ch-25v-sot-23,
NXP PMBFJ110,215 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), N -канальный, -25 В, 10 мА, -500 мВ, SOT-23
on-semiconductor, mjd200t4g, bipolar-transistor-npn-25v-d-pak,
ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 65 МГц, 12.5 Вт, 5 А, 70 hFE
wurth-elektronik, 82550250, smd-varistor-power-0805-25vrms,
WURTH ELEKTRONIK 82550250 TVS-варистор, 25 В, 30 В, Серия WE-VS, 65 В, 0805 [2012 Метрический], Защитное Устройство от ЭСР
fairchild-semiconductor, fdv301n, n-channel-mosfet-220ma-25v-sot23,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N МОП-транзистор, N Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ
bourns, cg0603mlu-12e, esd-suppressor-0603-12v-0-05pf,
BOURNS CG0603MLU-12E Защитное устройство от ЭСР, AEC-Q101, 25 В, 0603, 2 вывод(-ов), 12 В
infineon, bsz036ne2lsatma1, mosfet-n-ch-25v-40a-tsdson-8,
INFINEON BSZ036NE2LSATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 25 В, 0.003 Ом, 10 В, 2 В