Метка: SOT-23

nxp, pmbfj110-215, jet-n-ch-25v-sot-23,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

NXP PMBFJ110,215 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), N -канальный, -25 В, 10 мА, -500 мВ, SOT-23

nxp, pdtc144et, brt-trans-47k-47kohm-sot-23,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

NEXPERIA PDTC144ET Биполярный цифровой/смещение транзистор, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм, 1 соотношение, SOT-23

stmicroelectronics, esda5v3l, transil-array-uni-dual-esd-sot,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

STMICROELECTRONICS ESDA5V3L Защитное устройство от ЭСР, массив, SOT-23, 3 вывод(-ов), 5.3 В, 300 Вт

on-semiconductor, cm1224-04so, diode-esd-protection-3-3v-0-7pf,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

ON SEMICONDUCTOR CM1224-04SO Защитное устройство от ЭСР, 4 канала, 10 В, SOT-23, 6 вывод(-ов), 3.3 В

on-semiconductor, mmun2213lt1g, transistor-digital-sot-23,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

ON SEMICONDUCTOR MMUN2213LT1G Биполярный цифровой/смещение транзистор, BRT, 50 В, 100 мА, 47 кОм, 47 кОм, 1 соотношение, SOT-23

on-semiconductor, mmbz5237blt1g, diode-zener-8-2v-0-225w,

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

ON SEMICONDUCTOR MMBZ5237BLT1G Диод Зенера, 8.2 В, 225 мВт, SOT-23, 5 %, 3 вывод(-ов), 150 °C