Метка: 25 В

fairchild-semiconductor, fdc6320c, mosfet-n-p-ch-25v-0-22a-sot-23,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6320C Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 220 мА, 25 В, 3.1 Ом, 4.5 В, 850 мВ

texas-instruments, tpd4e001dbvr, esd-protection-array-25v-sot-23,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

TEXAS INSTRUMENTS TPD4E001DBVR Защитное устройство от ЭСР, массив, 25 В, SOT-23, 6 вывод(-ов), 5.5 В, 100 Вт

rohm, 2sc4098t106p, transistor-umt3,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

ROHM 2SC4098T106P Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 300 МГц, 200 мВт, 10 мА, 82 hFE

epcos, b72530e0250k062, varistor-multilayer-31vdc-1210,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

EPCOS B72530E0250K062 TVS-варистор, 25 В, 31 В, Серия MLV E, 65 В, 1210 [3225 Метрический], Многослойный Варистор (MLV)

MICROCHIP TECHNOLOGY,TC1232COA Контрольные схемы,MICROCHIP TECHNOLOGY,TC1232COA

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

Категория: Контрольные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY TC1232COA Микроконтроллер; open-drain, push-pull; 4,25 В,4,50 В; SO8

vishay, si4116dy-t1-ge3, mosfet-n-ch-25v-18a-8soic,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

VISHAY SI4116DY-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 25 В, 7.1 мОм, 10 В, 600 мВ

nxp, pmbfj310, transistor-jfet-n-sot-23,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

NXP PMBFJ310 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА

epcos, b72580e0250k062, varistor-multilayer-31vdc-1812,

Минск, Обновлено: 3 января 2025г., 00:00

EPCOS B72580E0250K062 TVS-варистор, 25 В, 31 В, Серия MLV E, 65 В, 1812 [4532 Метрический], Многослойный Варистор (MLV)