INFINEON IPP06CN10N G МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 100 В, 5 мОм, 10 В, 3 В
Метка: 3 В
infineon, ipd78cn10ngatma1, mosfet-n-ch-100v-13a-to-252-3,
INFINEON IPD78CN10NGATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 100 В, 0.059 Ом, 10 В, 3 В
infineon, ipb180n04s400atma1, mosfet-n-ch-40v-180a-to-263-7,
INFINEON IPB180N04S400ATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 180 А, 40 В, 0.0008 Ом, 10 В, 3 В
fairchild-semiconductor, fdmq8203, mosfet-nnpp-ch-mlp-4-5×5,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMQ8203 Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6 А, 100 В, 0.085 Ом, 10 В, 3 В
analog-devices, adum1250arz, ic-isolator-digital-dual-8soic,
ANALOG DEVICES ADUM1250ARZ Цифровой изолятор, двойной, 2 канала, 150 нс, 3 В, 5.5 В, SOIC, 8 вывод(-ов)
nxp, buk765r0-100e, mosfet-n-ch-100v-120a-d2pak,
NEXPERIA BUK765R0-100E МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0039 Ом, 10 В, 3 В
infineon, bsc320n20ns3gatma1, mosfet-n-ch-200v-36a-tdson-8,
INFINEON BSC320N20NS3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 36 А, 200 В, 0.027 Ом, 10 В, 3 В
broadcom-limited, atf-58143-blkg, rf-bipolar-transistor,
BROADCOM LIMITED ATF-58143-BLKG РЧ полевой транзистор, кремниевый, 3 В, 500 мА, 500 мВт, 450 МГц, 6 ГГц, SOT-343
vishay, sud19p06-60-ge3, mosfet-p-ch-60v-18-3a-to-252,
VISHAY SUD19P06-60-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -18.3 А, -60 В, 0.048 Ом, -10 В, -3 В
infineon, spa17n80c3xksa1, mosfet-n-coolmos-to-220fp,
INFINEON SPA17N80C3XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 800 В, 0.25 Ом, 10 В, 3 В