MICROCHIP CAP1296-1-AIA-TR Емкостный сенсорный датчик, I2C, SMBus, 3 В, 5.5 В, DFN, 10 вывод(-ов), -40 °C
Метка: 3 В
vishay, vs-8etx06fppbf, diode-hyperfast-8a-600v,
VISHAY VS-8ETX06FPPBF Силовой диод быстрого действия, 600 В, 8 А, Одиночный, 3 В, 16 нс, 110 А
vishay, sud50p04-13l-ge3, mosfet-p-ch-40v-55-7a-to-252-3,
VISHAY SUD50P04-13L-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -55.7 А, -40 В, 0.0105 Ом, -10 В, -3 В
allegro-microsystems, acs756kca-050b-pff-t, sensor-hall-effect-linear-120khz,
ALLEGRO MICROSYSTEMS ACS756KCA-050B-PFF-T Датчик Тока, изоляция напряжения, 14 мА, 120 кГц, PFF, 5 вывод(-ов), 3 В, 5.5 В
murata, pklcs1212e40a1-r1, sounder-4khz-75db,
MURATA PKLCS1212E40A1-R1 Датчик, Зуммер, Сирена, 3 В, 25 В, 75 дБ
honeywell, hoa2001-001, opto-switch-slotted,
HONEYWELL HOA2001-001 Пропускающий фотопрерыватель, Фототранзистор, Сквозное Отверстие, 3.05 мм, 1.52 мм, 50 мА, 3 В
infineon, spd04n50c3atma1, mosfet-n-to-252,
INFINEON SPD04N50C3ATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 4.5 А, 560 В, 0.85 Ом, 10 В, 3 В
vishay, sihp8n50d-ge3, mosfet-n-ch-500v-8-7a-to-220ab,
VISHAY SIHP8N50D-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 8.7 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 3 В
vishay, si7308dn-t1-e3, mosfet-n-ch-60v-6a-powerpak-1212,
VISHAY SI7308DN-T1-E3 МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 6 А, 60 В, 0.046 Ом, 10 В, 3 В
nxp, psmn6r3-120ps, mosfet-n-ch-120v-70a-to-220,
NEXPERIA PSMN6R3-120PS МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 120 В, 0.0057 Ом, 10 В, 3 В