VARTA 6127701301 Батарея, одноэлементная, Литиевый Диоксид Марганца, 950 мАч, 3 В, 1/2AA, Штыри, 14.75 мм
Метка: 3 В
renata, cr1616, cell-lithium-button-3v,
RENATA CR1616 Батарея, Литиевый Диоксид Марганца, 50 мАч, 3 В, 1616, Контакты Давления, 16 мм
analog-devices, adis16229amlz, vibration-sensor-18g-mcml-2,
ANALOG DEVICES ADIS16229AMLZ МЭМС акселерометр, цифровой, Цифровой, X, Y, ± 18g, 3 В, 3.6 В, Модуль
murata, sca2120-d06, accelerometer-aec-q100-2-axis,
MURATA SCA2120-D06 МЭМС акселерометр, Цифровой, Y, Z, ± 2g, 3 В, 3.6 В, SMD
honeywell, sm353rt, magnetoresistive-sensor-14g-sot,
HONEYWELL SM353RT Датчик на эффекте Холла, магниторезистивный, Многополюсный, 40 мкА, SOT-23, 3 вывод(-ов), 3 В, 24 В
stmicroelectronics, stmpe1208sqtr, controller-cap-tch-12ch-40vfqfpn,
STMICROELECTRONICS STMPE1208SQTR Емкостный сенсорный датчик, I2C, 3 В, 5.5 В, VFQFPN, 40 вывод(-ов), -40 °C
fairchild-semiconductor, ndt3055, mosfet-n-smd-sot-223,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 100 мОм, 10 В, 3 В
nxp, pht4nq10t-135, mosfet-n-ch-100v-3-5a-sot223,
NEXPERIA PHT4NQ10T,135 МОП-транзистор, N Канал, 1.75 А, 100 В, 0.2 Ом, 10 В, 3 В
on-semiconductor, ncs36000drg, pir-detector-controller-soic-14,
ON SEMICONDUCTOR NCS36000DRG Датчик Тока, 20 мкА, SOIC, 14 вывод(-ов), 3 В, 5.75 В
vishay, sud40n10-25-e3, mosfet-n-to-252,
VISHAY SUD40N10-25-E3 МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 3 В