MULTICOMP ES3F Быстрый / ультрабыстрый диод, 300 В, 3 А, Одиночный, 1.3 В, 35 нс, 100 А
Метка: 35 нс
vishay, es2g-e3-52t, diode-fast-2a-400v-smb,
VISHAY ES2G-E3/52T Быстрый / ультрабыстрый диод, 400 В, 2 А, Одиночный, 900 мВ, 35 нс, 50 А
taiwan-semiconductor, es1a, rectifier-single-1a-50v-do-214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1A Быстрый / ультрабыстрый диод, 50 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А Новинка
on-semiconductor, byw51-200g, diode-rectifier-dual-8a-to-220ab,
ON SEMICONDUCTOR BYW51-200G Быстрый / ультрабыстрый диод, двойной, 200 В, 16 А, Двойной Общий Катод, 970 мВ, 35 нс, 100 А
multicomp, es1g, diode-ultra-fast-1a-400v,
MULTICOMP ES1G Быстрый / ультрабыстрый диод, 400 В, 1 А, Одиночный, 1.3 В, 35 нс, 30 А
diodes-inc, pdu540-13, rectifier-ultrafast-powerdi-5,
DIODES INC. PDU540-13 Быстрый / ультрабыстрый диод, POWERDI, 400 В, 5 А, Одиночный, 1.19 В, 35 нс, 125 А
taiwan-semiconductor, es3b, rectifier-single-3a-50v-do-214ab,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES3B Быстрый / ультрабыстрый диод, 50 В, 3 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 100 А Новинка
taiwan-semiconductor, es1jl, diode-ultra-fast-1a-600v-smf,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1JL Силовой диод быстрого действия, 600 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 30 А
ixys-semiconductor, dhg20i600ha, diode-fast-600v-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DHG20I600HA Силовой диод быстрого действия, 600 В, 20 А, Одиночный, 2.31 В, 35 нс, 150 А
taiwan-semiconductor, es1hl, diode-ultra-fast-s1a-500v,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1HL Быстрый / ультрабыстрый диод, 500 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 30 А