IXYS SEMICONDUCTOR IXGR32N170AH1 БТИЗ транзистор, 26 А, 5.2 В, 200 Вт, 1.7 кВ, ISOPLUS-247, 3 вывод(-ов)
Метка: ixys-semiconductor
ixys-semiconductor, ixtt30n50l2, mosfet-n-ch-500v-30a-to-268,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 МОП-транзистор, LINEAR L2™, N Канал, 30 А, 500 В, 200 мОм, 10 В, 2.5 В
ixys-semiconductor, ixft140n10p, mosfet-n-to-268,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 140 А, 100 В, 11 мОм, 15 В, 5 В
ixys-semiconductor, ixfa10n80p, mosfet-n-to-263,
IXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P Силовой МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 10 А, 800 В, 1.1 Ом, 10 В, 5.5 В
ixys-semiconductor, dsa80c45hb, diode-schottky-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DSA80C45HB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 45 В, 40 А, 670 мВ, 400 А, 175 °C
ixys-semiconductor, dsa30c45hb, diode-schottky-to-247ad,
IXYS SEMICONDUCTOR DSA30C45HB Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 45 В, 15 А, 620 мВ, 140 А, 175 °C
ixys-semiconductor, ixa4if1200tc, igbt-single-1-2kv-9a-to-268aa,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA4IF1200TC БТИЗ транзистор, 9 А, 1.8 В, 45 Вт, 1.2 кВ, TO-268AA, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, dsep30-12cr, diode-fast-30a-isoplus247,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEP30-12CR Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 30 А, Одиночный, 5 В, 20 нс, 250 А
ixys-semiconductor, dsei2x31-06c, diode-fast-2x30a,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEI2X31-06C Модуль диода, 600 В, 30 А, 1.6 В, Двойной Изолированный, DSEI2 Series
ixys-semiconductor, ixtq170n10p, mosfet-n-to-3p,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ170N10P МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 170 А, 100 В, 9 мОм, 15 В, 5 В