350 мВт — Страница 9 — Минск +375447584780 Viber telegram whatsapp Teams

diodes-inc, zxtp25020dflta, transistor-pnp-sot-23,

DIODES INC. ZXTP25020DFLTA Биполярный транзистор, с большим усилением, PNP, 20 В, 290 МГц, 350 мВт, 4 А, 450 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA14 Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 350 мВт, 1.2 А, 20000 hFE

DIODES INC. BZX84C8V2 Диод Зенера, 8.2 В, 350 мВт, SOT-23, 6 %, 3 вывод(-ов), 150 °C

DIODES INC. BZX84C2V7 Диод Зенера, 2.7 В, 350 мВт, SOT-23, 7 %, 3 вывод(-ов), 150 °C

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BZX84-C30 Диод Зенера, 30 В, 350 мВт, SOT-23, 5 %, 3 вывод(-ов), 150 °C

ON SEMICONDUCTOR BC237BG. Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 45 В, 200 МГц, 350 мВт, 100 мА, 150 hFE

DIODES INC. ZXTP2041F Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 150 МГц, 350 мВт, 1 А, 300 hFE

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 100 МГц, 350 мВт, 600 мА, 250 hFE

DIODES INC. BZX84C5V1-7-F Диод Зенера, 5.1 В, 350 мВт, SOT-23, 6 %, 3 вывод(-ов), 150 °C

DIODES INC. BZX84C12 Диод Зенера, 12 В, 350 мВт, SOT-23, 5 %, 3 вывод(-ов), 150 °C