nxp, mmbz27val, diode-dual-tvs-un-40w-22v-sot23,

NEXPERIA MMBZ27VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 40 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт

nxp, pesd12vs1ua, diode-esd-low-capacitance-sod323,

NEXPERIA PESD12VS1UA Защитное устройство от ЭСР, 27 В, SOD-323, 2 вывод(-ов), 360 мВт

semelab, 2n2369acsm, transistor-hirel-npn-15v-0-2a,

SEMELAB 2N2369ACSM Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 360 мВт, 200 мА, 40 hFE

nxp, mmbz10val, diode-dual-tvs-40w-6-5v-sot23,

NEXPERIA MMBZ10VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 14.2 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт

nxp, mmbz18val, diode-dual-tvs-40w-14-5v-sot23,

NEXPERIA MMBZ18VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 25 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт

multicomp, 2n3251a, transistor-pnp-0-2a-60v-to18,

MULTICOMP 2N3251A Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 360 мВт, 200 мА, 50 hFE

multicomp, 2n2484, transistor,

MULTICOMP 2N2484 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 60 МГц, 360 мВт, 50 мА, 30 hFE

nxp, pesd12vs1ua, diode-esd-low-capacitance-sod323,

PESD12VS1UA Защитное устройство от ЭСР, 27 В, SOD-323, 2 вывод(-ов), 360 мВт

nxp, mmbz9v1al, diode-dual-tvs-un-40w-6v-sot23,

NEXPERIA MMBZ9V1AL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 14 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт