MULTICOMP 2N2484 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 60 МГц, 360 мВт, 50 мА, 30 hFE
Метка: 360 мВт
nxp, pesd12vs1ua, diode-esd-low-capacitance-sod323,
PESD12VS1UA Защитное устройство от ЭСР, 27 В, SOD-323, 2 вывод(-ов), 360 мВт
nxp, mmbz9v1al, diode-dual-tvs-un-40w-6v-sot23,
NEXPERIA MMBZ9V1AL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 14 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт
nxp, mmbz27val, diode-dual-tvs-un-40w-22v-sot23,
NEXPERIA MMBZ27VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 40 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт
nxp, pesd12vs1ua, diode-esd-low-capacitance-sod323,
NEXPERIA PESD12VS1UA Защитное устройство от ЭСР, 27 В, SOD-323, 2 вывод(-ов), 360 мВт
semelab, 2n2369acsm, transistor-hirel-npn-15v-0-2a,
SEMELAB 2N2369ACSM Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 360 мВт, 200 мА, 40 hFE
nxp, mmbz10val, diode-dual-tvs-40w-6-5v-sot23,
NEXPERIA MMBZ10VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 14.2 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт
nxp, mmbz18val, diode-dual-tvs-40w-14-5v-sot23,
NEXPERIA MMBZ18VAL Защитное устройство от ЭСР, TVS, 25 В, TO-236AB, 3 вывод(-ов), 900 мВ, 360 мВт
multicomp, 2n3251a, transistor-pnp-0-2a-60v-to18,
MULTICOMP 2N3251A Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 360 мВт, 200 мА, 50 hFE