Метка: 417 Вт

on-semiconductor, ngtb50n60s1wg, igbt-single-600v-100a-to-247-3,

Минск, Обновлено: 10 мая 2024г., 00:00

ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG БТИЗ транзистор, 100 А, 1.8 В, 417 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)