Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/P Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; DIP8
Метка: 512×8бит
MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/P
CYPRESS,FM24C04B-G 
Категория: Запомин. уст-ва FRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: CYPRESS FM24C04B-G Микросхема памяти; FRAM; I2C; 512×8бит; 4,5?5,5ВDC; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66AT-I/MC 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66AT-I/MC Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8бит; 4,5?5,5В; 2МГц
ATMEL,AT25040B-SSHL-B
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: ATMEL AT25040B-SSHL-B Микросхема памяти; EEPROM; SPI; 512×8бит; 1,8?5,5В; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/SN
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66A-I/SN
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66A-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8бит; 4,5?5,5В; 2МГц
ATMEL,AT24C04D-STUM-T 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: ATMEL AT24C04D-STUM-T Микросхема памяти; EEPROM; 2-wire; 512×8бит; 1,7?3,6В; SOT23
MICROCHIP TECHNOLOGY,11AA040-I/MS 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 11AA040-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; UNI/O; 512×8бит; 1,8?5,5В; 100кГц
MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66A-I/MS
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66A-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8бит; 4,5?5,5В; 2МГц
ATMEL,AT24C04D-MAHM-T 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: ATMEL AT24C04D-MAHM-T Микросхема памяти; EEPROM; 2-wire; 512×8бит; 1,7?3,6В; uDFN8