INFINEON IPB60R600CP Силовой МОП-транзистор, N Канал, 6.1 А, 650 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В
Метка: 6.1 А
fairchild-semiconductor, fds4897ac, mosfet-n-p-ch-40v-6-1a-soic-8,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4897AC Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.1 А, 40 В, 0.02 Ом, 10 В, 2 В
fairchild-semiconductor, fdc021n30, mosfet-n-ch-30v-6-1a-ssot-6,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC021N30 МОП-транзистор, траншейный, N Канал, 6.1 А, 30 В, 0.026 Ом, 10 В, 1.8 В
fairchild-semiconductor, fds5351, mosfet-n-ch-60v-6-1a-soic-8,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5351 МОП-транзистор, N Канал, 6.1 А, 60 В, 0.0265 Ом, 10 В, 2 В
vishay, si5509dc-t1-e3, mosfet-n-p-ch-20v-6-1a-chipfet,
VISHAY SI5509DC-T1-E3 Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 6.1 А, 20 В, 43 мОм, 4.5 В, 2 В
infineon, ipd60r600cp, mosfet-n-to-252,
INFINEON IPD60R600CP Силовой МОП-транзистор, N Канал, 6.1 А, 650 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В
infineon, ipd50r650ceatma1, mosfet-n-ch-500v-6-1a-to-252-3,
INFINEON IPD50R650CEATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 6.1 А, 500 В, 0.59 Ом, 13 В, 3 В
infineon, ipb60r600cp, mosfet-n-to-263,
INFINEON IPB60R600CP Силовой МОП-транзистор, N Канал, 6.1 А, 650 В, 0.54 Ом, 10 В, 3 В