ON SEMICONDUCTOR MUR2100EG Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 2 А, Одиночный, 2.2 В, 75 нс, 35 А
Метка: 75 нс
taiwan-semiconductor, us1j, rectifier-single-600v-1a-do214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR US1J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка
multicomp, uf1mb, rectifier-single-1a-1kv-do-214aa,
MULTICOMP UF1MB Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка
stmicroelectronics, stth112ufy, rect-fast-1-2kv-do-221aa,
STMICROELECTRONICS STTH112UFY Силовой диод быстрого действия, AEC-Q101, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.9 В, 75 нс, 18 А
taiwan-semiconductor, her308g, rectifier-single-3a-1kv-do-201aa,
TAIWAN SEMICONDUCTOR HER308G Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 125 А Новинка
vishay, byg20d-e3-tr, diode-avalanche-1-5a-200v,
VISHAY BYG20D-E3/TR Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 1.5 А, Одиночный, 1.4 В, 75 нс, 30 А
multicomp, uf1jb, rectifier-single-1a-600v-do-214aa,
MULTICOMP UF1JB Силовой диод быстрого действия, 600 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка