VISHAY SF5408-TR Силовой диод быстрого действия, AEC-Q101, 1 кВ, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 150 А
Метка: 75 нс
taiwan-semiconductor, us1j, rectifier-single-600v-1a-do214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR US1J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка
stmicroelectronics, stth112ufy, rect-fast-1-2kv-do-221aa,
STMICROELECTRONICS STTH112UFY Силовой диод быстрого действия, AEC-Q101, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.9 В, 75 нс, 18 А
vishay, byg20d-e3-tr, diode-avalanche-1-5a-200v,
VISHAY BYG20D-E3/TR Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 1.5 А, Одиночный, 1.4 В, 75 нс, 30 А
taiwan-semiconductor, us1m, rectifier-single-1kv-1a-do-214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR US1M Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка
on-semiconductor, murs340t3g, diode-fast-3a-400v-smc,
ON SEMICONDUCTOR MURS340T3G Быстрый / ультрабыстрый диод, 400 В, 4 А, Одиночный, 1.28 В, 75 нс, 100 А
on-semiconductor, mur8100eg, diode-ultrafast-8a-1000v,
ON SEMICONDUCTOR MUR8100EG Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 8 А, Одиночный, 1.8 В, 75 нс, 100 А