VISHAY VS-GB50NA120UX БТИЗ транзистор, 84 А, 3.22 В, 431 Вт, 1.2 кВ, SOT-227, 4 вывод(-ов)
Метка: -1.2 кВ
stmicroelectronics, stth112u, diode-fast-1a-1200v-smd-smb,
STMICROELECTRONICS STTH112U Силовой диод быстрого действия, 1.2 кВ, 1 А, Одиночный, 1.65 В, 75 нс, 18 А
semikron, skb2512, bridge-rectifier-17a-1200v,
SEMIKRON SKB2512 Мостовой выпрямитель, Одна, 1.2 кВ, 17 А, Модуль, 2.2 В, 4 вывод(-ов)
on-semiconductor, ngtb30n120ihswg, igbt-1200v-30a-to-247-3,
ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHSWG БТИЗ транзистор, 60 А, 2 В, 192 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, ixa20if1200hb, igbt-1200v-38a-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXA20IF1200HB БТИЗ транзистор, 38 А, 2.1 В, 165 Вт, 1.2 кВ, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
infineon, idh10s120aksa1, diode-schottky-1200v-10a-to220,
INFINEON IDH10S120AKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Серия thinQ 2G 1200V, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 36 нКл, TO-220
fuji-electric, fgw40n120hd, igbt-single-1-2kv-70a-to-247-3,
FUJI ELECTRIC FGW40N120HD БТИЗ транзистор, 70 А, 1.8 В, 340 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
wolfspeed, c4d08120e, diode-sic-rec-1200v-7-5a-to252,
WOLFSPEED C4D08120E Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 24.5 А, 37 нКл, TO-252
fuji-electric, 6mbi15s-120-50, 6-pack-igbt-module-15a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 6MBI15S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 15 А, 2.6 В, 110 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
infineon, ff600r12me4b11bpsa1, igbt-module-n-ch-1-2kv-600a,
INFINEON FF600R12ME4B11BPSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 4.05 кВт, 1.2 кВ, Module Новинка