ON SEMICONDUCTOR NTMS10P02R2G МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -880 мВ
Метка: -8.8 А
fairchild-semiconductor, fds4435bz, mosfet-p-ch-30v-8-8a-soic-8,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435BZ МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В
fairchild-semiconductor, fdms3572, mosfet-n-smd-mlp,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS3572 МОП-транзистор, N Канал, 8.8 А, 80 В, 16.5 мОм, 10 В, 3.2 В
infineon, bso200n03s, mosfet-n-30v-so-8,
INFINEON BSO200N03S МОП-транзистор, N Канал, 8.8 А, 30 В, 20 мОм, 10 В, 1.6 В
fairchild-semiconductor, si4435dy, transistor-mosfet,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 15 мОм, -10 В, -1.7 В
fairchild-semiconductor, si4435dy, transistor-mosfet,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 15 мОм, -10 В, -1.7 В