NEXPERIA PMEG1020EH Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 10 В, 2 А, 460 мВ, 9 А, 150 °C
Метка: 9 А
fairchild-semiconductor, fcp9n60n, mosfet-n-ch-600v-9a-to220,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP9N60N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 600 В, 0.33 Ом, 10 В, 2 В
nxp, bas101s, sw-diode-300v-0-2a-sot-23,
BAS101S Диод слабых сигналов, Двойной Последовательный, 300 В, 200 мА, 1.1 В, 50 нс, 9 А
taiwan-semiconductor, tsm9n50ci, mosfet-n-ch-500v-9a-ito220,
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM9N50CI МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 500 В, 0.75 Ом, 10 В, 2 В
vishay, irf630spbf, mosfet-n-200v-9a-d2-pak,
VISHAY IRF630SPBF МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 300 мОм, 10 В, 4 В
littelfuse, 0jtd009-t, fuse-time-delay-class-j-9a,
LITTELFUSE 0JTD009.T Предохранитель, промышленный / силовой, Серия POWR-PRO, 9 А, 600 В AC, 300 В DC, 20.6мм x 57.2мм
fairchild-semiconductor, fqd12n20ltm, mosfet-n-ch-200v-9a-to-252aa-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD12N20LTM МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 0.22 Ом, 10 В, 2 В
nxp, pmeg4010ceh, diode-schottky-1a-40v-sod-123f,
PMEG4010CEH Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 40 В, 1 А, 570 мВ, 9 А, 150 °C
infineon, ipb60r385cpatma1, mosfet-n-to-263,
INFINEON IPB60R385CPATMA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 650 В, 0.35 Ом, 10 В, 3 В
nxp, bav103-115, diode-switching-0-25a-250v-sod,
BAV103,115 Диод слабых сигналов, Одиночный, 250 В, 250 мА, 1.25 В, 50 нс, 9 А